「内部欠陥の少ない大口径炭化ケイ素（ＳｉＣ）単結晶ウエハーの製造」が「日経ＢＰ技術賞」を受賞

当社の技術開発本部先端技術研究所が開発した「内部欠陥の少ない大口径炭化ケイ素（ＳｉＣ）単結晶ウエハー」が、２００８年日経ＢＰ技術賞を受賞しました。日経ＢＰ賞は、日本の技術の発展に寄与する目的で創設され、日本の産業や社会に大きなインパクトをもたらす、優れた技術を表彰する賞です。当社としては初めての受賞となります。（表彰式は４月４日都内ホテルで行なわれました）
　炭化ケイ素単結晶ウエハーは、シリコンウエハーに比べ、耐熱性・耐電圧性に優れ、かつ電力消費が少ないため、次世代の半導体材料と期待されています。しかしながら、デバイスの量産に適する大口径（100mm）ウエハーは、その製造過程でマイクロパイプという通電不良部が生じるため、これまで実用化されているウエハーは２～３インチの口径に留まっていました。当社は製造プロセス制御の最適化等により、大口径での欠陥発生を大幅に抑制することに成功し、極めて高品質な大口径炭化ケイ素単結晶ウエハーを実現しました。（詳細は、当社ホームページの2007年6月7日のニュースリリースをご覧下さい。）

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